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L'élaboration des couches InGaAs de bonne qualité sur des substrats GaAs par EPVOM passe par l'optimisation des conditions et des paramètres de croissance. La réflectométrie laser (632.8 nm) présente une solution adéquate permettent le suif in situ de l'épitaxie. La modélisation des signaux de réflectivité permet la détermination de certains paramètres tels que les constantes optiques et les épaisseurs des matériaux.
L'utilisation de la photoluminescence et de la diffraction des rayons x à haute résolution aide à une meilleure compréhension des propriétés optiques, morphologiques et structurales des hétérostructures à base d'InGaAs/GaAs. Cette étude constitue un prélude pour aborder les quaternaires InGaAsX (avec X = Bi,N) grâce à leur intérêt particulier dans la réalisation des dispositifs en optoélectronique.
De plus, la structure InGaAs/GaAs constitue un exemple typique pour étudier les contraintes, le phénomène de ségrégation et les structures quantiques. Cet ouvrage s'adresse aux étudiants des troisièmes cycles universitaires ainsi qu'aux chercheurs et ingénieurs se perfectionnant dans ce domaine.