Cours D'Electronique. Les Composants Semiconducteurs, 2eme Edition 1995

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Bernard Boittiaux - Cours D'Electronique. Les Composants Semiconducteurs, 2eme Edition 1995.
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Résumé

Cet ouvrage est destiné à ceux qui, dans le domaine des composants de l'électronique veulent acquérir les connaissances fondamentales nécessaires pour mieux comprendre, mieux utiliser, mieux s'adapter aux technologies à venir. Ce volume est donc particulièrement destiné aux étudiants Techniciens supérieurs (mesures physiques, génie électrique), à ceux de licence et maîtrise EEA ainsi qu'aux élèves des Ecoles d'Ingénieurs et de la formation permanente. Les professionnels y trouveront également de nombreux renseignements.

Sommaire

    • Physique des semiconducteurs
    • Les cristaux semiconducteurs
    • Notions de bandes d'énergie
    • Population de porteurs dans les semiconducteurs
    • Conduction électrique
    • Semiconducteurs extrinsèques
    • Semiconducteurs homogènes hors équilibre thermodynamique
    • Diffusion ; équations de continuité
    • Effets de surface
    • Les composants bipolaires
    • Les diodes semiconductrices
    • Hétérojonction ; superréseaux
    • Le transistor bipolaire
    • Les dispositifs multijonctions
    • Les composants unipolaires
    • Contact métal-semiconducteur
    • Diode schottky
    • Le transistor effet de champ à jonction
    • La structure M.I.S ; les dispositifs C.C.D
    • Le transistor M.O.S
    • Les composants optoélectroniques
    • Les photorécepteurs
    • Les photoémetteurs.

Caractéristiques

  • Date de parution
    01/11/1995
  • Editeur
  • ISBN
    2-7430-0086-4
  • EAN
    9782743000868
  • Présentation
    Broché
  • Nb. de pages
    295 pages
  • Poids
    0.495 Kg
  • Dimensions
    15,5 cm × 24,0 cm × 1,8 cm

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À propos de l'auteur

Biographie de Bernard Boittiaux

Bernard Boittiaux - docteur ès Sciences physique, professeur à l'Ecole universitaire d'ingénieurs de Lille - expose donc les modélisations " classiques " des composants en faisant appel à un support mathématique aussi réduit que possible. Pour chaque type de structure, après une description des phénomènes physiques, un modèle est proposé. Celui-ci permet une approche quantitative des propriétés caractéristiques et des limites d'utilisation de la plupart des composants de l'électronique moderne (diode, transistors, JFET, MOS, LED, diode LASER...).

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